212-功率半導(dǎo)體工藝研發(fā)工程師
科研團(tuán)隊(duì)
直流研究中心
崗位職責(zé)
1.從事大功率半導(dǎo)體芯片工藝設(shè)計(jì)、流片相關(guān)工作；
2.負(fù)責(zé)半導(dǎo)體光刻、注入、擴(kuò)散、刻蝕、CVD、合金等工藝研發(fā)、缺陷檢測等問題，提升成品率；
3.推進(jìn)工藝流片進(jìn)度，配合進(jìn)程管理；
4.編寫工藝規(guī)范，設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)范；
5.建立工藝穩(wěn)定性監(jiān)控機(jī)制，培訓(xùn)操作人員；
6.分析工藝異常原因，解決工藝異常，確保研發(fā)制造任務(wù)正常進(jìn)行。
任職要求
1.國內(nèi)外正規(guī)全日制大學(xué)碩士及以上學(xué)歷，電氣工程、微納電子、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；
2.熟悉功率半導(dǎo)體器件（如晶閘管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理；
3.熟悉半導(dǎo)體單項(xiàng)工藝；
4.具有團(tuán)隊(duì)協(xié)作意識(shí)，工作認(rèn)真，責(zé)任心強(qiáng)，具有較強(qiáng)的解決問題能力和交流溝通能力。
科研團(tuán)隊(duì)
直流研究中心
崗位職責(zé)
1.從事大功率半導(dǎo)體芯片工藝設(shè)計(jì)、流片相關(guān)工作；
2.負(fù)責(zé)半導(dǎo)體光刻、注入、擴(kuò)散、刻蝕、CVD、合金等工藝研發(fā)、缺陷檢測等問題，提升成品率；
3.推進(jìn)工藝流片進(jìn)度，配合進(jìn)程管理；
4.編寫工藝規(guī)范，設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)范；
5.建立工藝穩(wěn)定性監(jiān)控機(jī)制，培訓(xùn)操作人員；
6.分析工藝異常原因，解決工藝異常，確保研發(fā)制造任務(wù)正常進(jìn)行。
任職要求
1.國內(nèi)外正規(guī)全日制大學(xué)碩士及以上學(xué)歷，電氣工程、微納電子、材料物理與化學(xué)等相關(guān)專業(yè)；
2.熟悉功率半導(dǎo)體器件（如晶閘管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理；
3.熟悉半導(dǎo)體單項(xiàng)工藝；
4.具有團(tuán)隊(duì)協(xié)作意識(shí)，工作認(rèn)真，責(zé)任心強(qiáng)，具有較強(qiáng)的解決問題能力和交流溝通能力。
職位類別： 能源互聯(lián)網(wǎng)市場/政策研究員
舉報(bào)
- 公司規(guī)模：100 - 499人
- 公司性質(zhì)：事業(yè)單位
- 所屬行業(yè)：智能電網(wǎng)
- 所在地區(qū)：北京-海淀區(qū)
66%
簡歷查閱率
1天
簡歷查看周期
- 聯(lián)系人：田佳茹
- 手機(jī)：會(huì)員登錄后才可查看
- 郵箱：會(huì)員登錄后才可查看
- 郵政編碼：
工作地址
- 地址：北京市海淀區(qū)清華大學(xué)
